(Elektrode eines Feldeffekttransistors)

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• Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode — Schaltzeichen der vier IGBT Typen Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (englisch insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es… …   Deutsch Wikipedia

• Chemisch sensitiver Feldeffekttransistor — Ein chemisch sensitiver Feldeffekttransistor (kurz ChemFET) ist eine spezielle Form eines Feldeffekttransistors, der als Sensor für Chemikalien und chemische Eigenschaften von Substanzen eingesetzt wird. Der Aufbau eines ChemFETs entspricht im… …   Deutsch Wikipedia

• Technologieknoten — Der Begriff Technologieknoten (englisch technology node) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen Meilenstein für die Definition einer Herstellungsprozessgeneration und bezieht sich im Wesentlichen auf die kleinste fotolithografisch… …   Deutsch Wikipedia

• Kollektor — Sammel Elektrode; Sammler * * * Kol|lẹk|tor 〈m. 23; El.〉 1. auf der Welle eines Generators befestigtes Teil, das den im Anker entwickelten Strom aufnimmt u. an die Leitung abgibt 2. auf der Welle eines Elektromotors befestigtes Teil, das den im… …   Universal-Lexikon

• Source — Programmcode; Sourcecode; Code; Quellcode; Quelltext; Kode * * * I Source   [sɔːs; englisch »Quelle«] die, , Kurzbezeichnung …   Universal-Lexikon

• Miniaturisierung: Von der Elektronenröhre zum Mikrochip —   Das sicherlich den meisten Menschen am besten vertraute Beispiel einer fortwährenden Miniaturisierung von Bauteilen ist die Mikroelektronik und hier vor allem die Computertechnik.   Komplizierte oder langwierige Berechnungen durch mechanische… …   Universal-Lexikon

• Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… …   Deutsch Wikipedia

• DMOS — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (engl. Power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das… …   Deutsch Wikipedia

• Power MOSFET — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (engl. Power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das… …   Deutsch Wikipedia

• Leistungs-MOSFET — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (englisch power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der… …   Deutsch Wikipedia

• OFET — Der Organische Feldeffekttransistor (OFET) ist ein Feldeffekttransistor (FET), der mindestens als Halbleiter ein organisches Material nutzt. Inhaltsverzeichnis 1 Geschichte 2 Aufbau 3 Physikalische Beschreibung 4 Weblinks …   Deutsch Wikipedia